Nonvolatile Memory Design

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説明

不揮発性メモリ技術の主流であるフラッシュメモリの製造は、厳しい技術的障壁に直面しています。ナノ領域におけるフラッシュメモリの代替としていくつかの新興技術が提案されているほどです。不揮発性メモリ設計:磁気抵抗および位相変化では、相変化メモリ磁気ランダムアクセスメモリと抵抗ランダムアクセスメモリの3つの有望な候補を紹介します。本文では、これらの技術の基本的なストレージメカニズムを説明し、フラッシュメモリ技術との違いを検討します。著者らは、最新の進歩に基づいて、主要な設計方法論と、3つの不揮発性メモリ技術のさまざまな機能と能力について説明します。 。言語:英語
  • ブランド: Unbranded
  • カテゴリー: コンピューター、インターネット
  • フォーマット: ハードカバーの本
  • 刊行日: 2011/12/19
  • アーティスト: ハイ・リー
  • ページ数: 208
  • 出版社 / レコード会社: CRC プレス
  • 言語: 英語
  • Fruugo ID: 338136423-741799960
  • ISBN: 9781439807453

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